数据 薄板 d13100ej1v0ds00
2
2SK3061
电的 特性 (t
一个
= 25 °c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10
v, i
D
= 35
a6.38.5m
Ω
R
ds(在)2
V
GS
= 4.0
v, i
D
= 35
a8.212m
Ω
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10
v, i
D
= 1
毫安 1.0 1.5 2.0 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 35 一个 20 87 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60
v, v
GS
= 0
V10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20
v, v
DS
= 0
V
±
10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10
V 5200 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0
V 1300 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1
MHz 480 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
I
D
= 35
A75ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10
V 1150 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30
V 360 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
Ω
480 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= 70
A95nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= 48
V13nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
gs(在)
= 10
V30nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 70
一个, v
GS
= 0
v0.97v
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 70
一个, v
GS
= 0
V70ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 100
一个
/
µ
s 140 nC
测试 电路 3 门 承担
V
GS
= 20
→
0
V
pg.
R
G
= 25
Ω
50
Ω
d.u.t.
L
V
DD
测试 电路 1 avalanche 能力
pg.
R
G
= 10
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
测试 电路 2 切换 时间
R
G
pg.
I
G
= 2 毫安
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
作
V
DS
BV
DSS
开始 t
ch
V
GS
0
τ
= 1
µ
s
职责 循环
≤
1 %
τ
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
I
D
10
%
0
0
90
%
90
%
90
%
V
gs(在)
I
D
t
在
t
止
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10
%10
%
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