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资料编号:163645
 
资料名称:BCP56T3
 
文件大小: 79K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Epitaxial Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcp56t1 序列
http://onsemi.com
3
典型 电的 特性
h
FE
, 直流 电流 增益
100
10
1000100101
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 1. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 2. 电流-增益 − 带宽 产品
f, 电流-增益  带宽 产品 (mhz)
T
1000
100
10
100101.0 1000
c, 电容 (pf)
80
60
40
20
10
8.0
6.0
4.0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 3. 电容
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 4. “on” 电压
1.0
0.4
0
1001.00.5 500
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 5. 集电级 饱和 区域
0.05 0.1 0.2 0.5 2.0 5.0 10 20 50
V
CE
, 集电级-发射级 电压 (伏特)
v, 电压 (伏特)
0.8
0.6
0.2
2.0 5.0 10 20 50 200 1.0
V
是(在)
@ v
CE
= 1.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= − 55
°
C
T
J
= 25
°
C
50
毫安
100mA
T
J
= 25
°
C
250mA
500mA
I
C
= 10ma
T
J
= 25
°
C
C
ibo
C
obo
1000
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