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资料编号:170245
 
资料名称:BFP520
 
文件大小: 48.56K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V)
 
 


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BFP520SIEGET
45
sep-26-20017
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
, |
S
21
|
2
=
f
(
f
)
V
CE
= 2v, i
C
= 20 毫安
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
GHz
6.0
f
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
dB
44
G
G
ms
G
毫安
|
S
21
|
2
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 2v
f
= 参数 在 ghz
0 5 10 15 20 25 30 35
毫安
45
I
C
0
4
8
12
16
20
24
dB
32
G
0.9
1.8
2.4
3
4
5
6
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
V
CE
)
I
C
= 20 毫安
f
= 参数 在 ghz
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
V
3.0
V
CE
0
4
8
12
16
20
24
dB
32
G
0.9
1.8
2.4
3
4
5
6
集电级-根基 电容
C
cb
=
f
(
V
CB
)
f
= 1mhz
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
V
3.0
V
CB
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
pF
0.30
C
cb
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