april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP110
图.8
典型 值 在 150 毫安/5 v.
k
R
DSon
在 T
j
R
DSon
在 25
°
C
----------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
3
0.5
2.5
100
2
1.5
1
MDA735
图.9
V
gs(th)
在 1 毫安; 典型 值.
k
V
gs(th)
在 T
j
V
gs(th)
在 25
°
C
----------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
1.2
0.7
1.1
100
1
0.9
0.8
MDA736
图.10 T
j
= 25
°
c; v
GS
= 0; f = 1 mhz;
典型 值.
handbook, halfpage
50
010 30
0
20
10
20
C
(pf)
V
DS
(v)
30
40
MDA737
C
rss
C
iss
C
oss