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资料编号:194743
 
资料名称:AS4LC1M16E5-60TC
 
文件大小: 604.06K
   
说明
 
介绍:
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
 
 


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®
AS4LC1M16E5
4/11/01
alliance 半导体
4
直流 电的 特性
shaded areas 表明 进步 信息.
参数 标识 测试 情况
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
输入 leakag
e c
urrent I
IL
0V
V
V
CC
(最大值)
管脚 不 下面 测试 = 0v
-2 +2 -2 +2
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
OL
D
输出
无能, 0v
V
输出
V
CC
(最大值) -2 +2 -2 +2
µ
一个
运行 电源
供应 电流
I
CC1
RAS, ucas, lcas, 地址 cycling;
t
RC
=min
140 130 毫安 4,5
ttl 备用物品 电源
供应 电流
I
CC2
RAS= ucas= lcas
V
IH
,
所有 其它 输入 在 v
IH
或者 v
IL
2.0 2.0 毫安
平均 电源 供应
电流, ras
refresh
模式 或者 cbr
I
CC3
RAScycling, ucas= lcas
V
IH
,
t
RC
= 最小值 的 ras低 之后 xcas低.
80 70 毫安 4
edo 页 模式 平均
电源 供应 电流
I
CC4
RAS= v
IL
, ucas或者 lcas,
地址 cycling: t
HPC
= 最小值
85 75 毫安 4, 5
cmos 备用物品 电源
供应 电流
I
CC5
RAS= ucas= lcas= v
CC
- 0.2v,
f = 0
1–1mA
输出 电压
V
OH
I
输出
= -5.0 毫安 2.4 –2.4– V
V
OL
I
输出
= 4.2 毫安 0.4 0.4 V
CAS
在之前 rasrefresh
电流
I
CC6
RAS, ucas或者 lcascycling, t
RC
= 最小值 80 70
毫安
自 refresh 电流 I
CC7
RAS= ucas= lcas
0.2v,
我们
= oe
V
CC
- 0.2v,
所有 其它 输入 在 0.2v 或者
V
CC
- 0.2v
0.5 0.5
毫安
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