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资料编号:194743
 
资料名称:AS4LC1M16E5-60TC
 
文件大小: 604.06K
   
说明
 
介绍:
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
 
 


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®
AS4LC1M16E5
4/11/01
alliance 半导体
5
交流 参数 一般 至 所有 波形
shaded areas 表明 进步 信息.
读 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 80 –100–ns
t
RP
RASprecharge 时间 30 –40–ns
t
RAS
RAS脉冲波 宽度 50 10K 60 10K ns
t
CAS
CAS脉冲波 宽度 8 10K 10 10K ns
t
RCD
RAS至 cas延迟 时间 15 35 15 43 ns 9
t
RAD
RAS至 column 地址 延迟 时间 9 25 10 30 ns 10
t
RSH
CAS至 ras支撑 时间 10 –10–ns
t
CSH
RAS至 cas支撑 时间 40 –50–ns
t
CRP
CAS至 rasprecharge 时间 5 –5–ns
t
ASR
行 地址 建制 时间 0 –0–ns
t
RAH
行 地址 支撑 时间 8 –10–ns
t
T
转变 时间 (上升 和 下降) 1 50150ns7,8
t
REF
refresh 时期 16 16 ms 6
t
CP
cas precharge 时间 8 –10–ns
t
RAL
column 地址 至 ras含铅的 时间 25 –30–ns
t
ASC
column 地址 建制 时间 0 –0–ns
t
CAH
column 地址 支撑 时间 8 –10–ns
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
RAC
进入 时间 从 ras 50 60 ns 9
t
CAC
进入 时间 从 cas 12 15 ns 9,16
t
AA
进入 时间 从 地址 25 30 ns 10,16
t
RCS
读 command 建制 时间 0 –0–ns
t
RCH
读 command 支撑 时间 至 cas 0 –0–ns12
t
RRH
读 command 支撑 时间 至 ras 0 –0–ns12
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