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资料编号:315253
 
资料名称:IRF5851
 
文件大小: 172.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF5851
10 www.irf.com
图 26.
典型 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
图 24.
最大 流 电流 vs.
接合面 温度
25 50 75 100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-i , 流 电流 (一个)
D
0.1
1
10
100
1000
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)



≤ 1


≤ 0.1 %



+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
图 25a.
切换 时间 测试 电路
图 25b.
切换 时间 波形

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