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资料编号:315253
资料名称:
IRF5851
文件大小: 172.54K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
: 点此下载
7
8
9
10
11
12
13
14
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF5851
www.irf.com
11
图 28.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 27.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
图 29b.
门 承担 测试 电路
图 29a.
基本 门 承担 波形
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
-3ma
V
GS
.3
µ
F
50K
Ω
.2
µ
F
12V
电流
调整器
一样
类型
作
d.u.t.
电流
抽样
电阻器
+
-
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-v
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
Ω
)
I
D
= -2.2a
0246810
-i
D
, 流 电流 (一个)
0.10
0.20
0.30
0.40
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
Ω
)
V
GS
= -2.5v
V
GS
= -4.5v
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