3/19
m40sz100y, m40sz100w
summary 描述
这 m40sz100y/w nvram 控制 是 一个 自-
包含 设备 这个 converts 一个 标准 低-
电源 sram 在 一个 非-易变的 记忆. 一个 preci-
sion 电压 涉及 和 比较器 monitors
这 v
CC
输入 为 一个 输出-的-容忍 情况.
当 一个 invalid v
CC
情况 occurs, 这 condi-
tioned 碎片 使能 输出 (e
CON
) 是 强迫 inactive
至 写 保护 这 贮存 数据 在 这 sram. dur-
ing 一个 电源 失败, 这 sram 是 切换 从 这
V
CC
管脚 至 这 lithium cell 在里面 这 snaphat (或者
外部 电池 为 这 16-含铅的 soic) 至 提供
这 活力 必需的 为 数据 保持. 在 一个 sub-
sequent 电源-向上, 这 sram 仍然是 写 pro-
tected 直到 一个 有效的 电源 情况 returns.
这 28-管脚, 330 mil soic 提供 插座 和
金 镀有 联系 为 直接 连接 至 一个 sep-
arate snaphat
®
housing containing 这 电池.
这 snaphat housing 有 金 镀有 管脚
这个 mate 和 这 插座, ensuring 可依靠的
连接. 这 housing 是 keyed 至 阻止 im-
恰当的 嵌入. 这个 唯一的 设计 准许 这
snaphat 电池 包装 至 是 挂载 在 顶
的 这 soic 包装 之后 这 completion 的 这
表面 挂载 处理 这个 非常 减少 这
板 制造 处理 complexity 的 也
直接地 焊接 或者 inserting 一个 电池 在 一个 sol-
dered holder. 供应 非-volatility 变为 一个
“snap.” 这个 特性 是 也 有 在 这 “top-
less” 16-管脚 soic 包装 (mq).
嵌入 的 这 snaphat housing 之后 软熔焊接
阻止 潜在的 电池 损坏 预定的 至 这 高
温度 必需的 为 设备 表面-挂载-
ing. 这 snaphat housing 是 也 keyed 至 前-
vent 反转 嵌入.
这 28-管脚 soic 和 电池 包装 是
运输 separately 在 塑料 反对-静态的 tubes 或者 在
录音带 &放大; 卷轴 表格. 为 这 28-含铅的 soic, 这 bat-
tery/结晶 包装 (e.g., snaphat) 部分 num-
ber 是 “m4zxx-br00sh” (看 表格 13, 页 17).
提醒:
做 不 放置 这 snaphat 电池 顶
在 传导性的 foam, 作 这个 将 流 这 lithium
button-cell 电池.
图示 3. 逻辑 图解
便条: 1. 为 16-管脚 soic 包装 仅有的.
表格 1. 信号 names
便条: 1. 为 so16 仅有的.
AI03933
V
CC
M40SZ100Y
M40SZ100W
BL
V
SS
E
V
输出
PFI
E
CON
PFO
RST
RSTIN
V
BAT
(1)
E 碎片 使能 输入
E
CON
conditioned 碎片 使能 输出
RST
重置 输出 (打开 流)
RSTIN
重置 输入
BL
电池 低 输出 (打开 流)
V
输出
供应 电压 输出
V
CC
供应 电压
V
BAT
(1)
后面的-向上 供应 电压
PFI 电源 失败 输入
PFO
电源 失败 输出
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
: 点此下载
