March1996
NDP6060/ ndb6060
n-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDP6060 NDB6060 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
<1 m
Ω
)
60 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ± 20 V
- nonrepetitive (t
P
< 50µs) ± 40
I
D
流 电流 - 持续的T
c
=25
o
C
48 一个
- 持续的 t
C
=100
o
C
32
- 搏动 144
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 100 W
减额 在之上 25
°
C 0.67 w/
°
C
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 175 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8" 从 情况 为 5 秒
275 °C
ndp6060 rev. b1 / ndb6060 rev. c
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高
cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 有 被 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 高 活力 脉冲 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 特别 suited
为 低 电压 产品 此类 作 automotive, 直流/直流
转换器, pwm 发动机 控制, 和 其它 电池
powered 电路 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源
丧失, 和 阻抗 至 过往旅客 是 需要.
48a, 60v. r
ds(在)
= 0.025
Ω
@ v
GS
=10V.
核心的 直流 电的 参数 指定 在 提升
温度.
坚毅的 内部的 源-流 二极管 能 eliminate 这 需要
为 一个 外部 齐纳 二极管 瞬时 suppressor.
175°c 最大 接合面 温度 比率.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
至-220 和 至-263 (d
2
pak) 包装 为 两个都 通过 孔
和 表面 挂载 产品.
S
D
G
© 1997 仙童 半导体 公司
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