飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php65n06lt, phb65n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 25 一个; v
GS
= 5 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 情况: i
D
= 50 一个; 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
-100 -50 0 50 100 150 200
0.5
1
1.5
2
2.5
buk959-60
tmb / degc
rds(在) normlised 至 25degc
一个
0.01 0.1 1 10 100
0
1
2
3
4
5
vds/v
thousands pf
Ciss
Coss
Crss
buk959-60
-100 -50 0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
tj / c
vgs(至) / v
最大值
典型值
最小值
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0
1
2
3
4
5
6
vgs/v
qg/nc
vds = 14v
vds = 44v
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
1e-05
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
2% 典型值
98%
0 0.5 1 1.5
0
20
40
60
80
100
如果/一个
vsds/v
tj/c = 175 25
january 1998 5 rev 1.300
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