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资料编号:1032168
 
资料名称:MMFT5P03HDT3
 
文件大小: 198K
   
说明
 
介绍:
TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
 
 


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MMFT5P03HD
http://onsemi.com
2
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
负的 sign 为 p–channel 设备 omitted 为 clarity
比率
标识 最大值 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
30 V
drain–to–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
30 V
gate–to–source 电压 – 持续的 V
GS
±
20 V
1
sq.
fr–4 或者 g–10 pcb
10 秒
热的 阻抗 – 接合面 至 包围的
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
直线的 减额 因素
流 电流 – 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
持续的 @ t
一个
= 70
°
C
搏动 流 电流 (便条 1.)
R
THJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
40
3.13
25
5.2
4.1
26
°
c/w
Watts
mw/
°
C
一个
一个
一个
最小
fr–4 或者 g–10 pcb
10 秒
热的 阻抗 – 接合面 至 包围的
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
直线的 减额 因素
流 电流 – 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
持续的 @ t
一个
= 70
°
C
搏动 流 电流 (便条 1.)
R
THJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
80
1.56
12.5
3.7
2.9
19
°
c/w
Watts
mw/
°
C
一个
一个
一个
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至
150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 – 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 30 vdc, v
GS
= 10 vdc, 顶峰 i
L
= 12 apk, l = 3.5 mh, r
G
= 25
)
E
250
mJ
1. repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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