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资料编号:1090797
 
资料名称:LT1910
 
文件大小: 182416K
   
说明
 
介绍:
Protected High Side MOSFET Driver
 
 


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3
LT1910
sn1910 1910fs
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
供应 电流 vs 供应 电压 供应 电流 vs 温度 输入 电压 vs 温度
输入 电流 vs 温度
计时器 门槛 电压
vs 温度
计时器 clamp 电压
vs 温度
计时器 承担 电流
vs 温度
流 sense 门槛 电压
vs 温度
场效应晶体管 门 电压 在之上 v
+
(v
– v
+
) vs 供应 电压
供应 电压 (v)
0
供应 电流 (毫安)
2.4
2.8
3.2
3.6
40
1910 g01
2.0
1.6
2.2
2.6
3.0
3.4
1.8
1.4
1.2
10
20
30
50
在 状态
止 状态
T
一个
= 25
°
C
温度 (
°
c)
–50
0
供应 电流 (毫安)
1.0
2.0
3.0
2.5
–25
0
25 50
1910 g02
75
4.0
5.0
0.5
1.5
3.5
4.5
100
V
+
= 48v
在 状态
止 状态
温度 (
°
c)
–50
输入 电压 (v)
1.0
1.2
1.4
1.6
2.0
–25
02550
1910 g03
75 100
1.8
0.8
V
INH
V
INL
温度 (
°
c)
–50
0
输入 电流 (
µ
一个)
40
80
120
–25
0
25 50
1910 g04
75
160
200
20
60
100
140
180
100
V
= 5v
V
= 2v
温度 (
°
c)
–50
计时器 门槛 电压 (v)
2.7
2.8
2.9
3.0
3.2
–25
02550
1910 g05
75 100
3.1
2.6
V
= 2v
温度 (
°
c)
–50
计时器 clamp 电压 (v)
3.3
3.4
3.5
3.6
3.8
–25
02550
1910 g06
75 100
3.7
3.2
V
0.8v
温度 (
°
c)
–50
计时器 承担 电流 (
µ
一个)
10
12
14
16
20
–25
02550
1910 g07
75 100
18
8
V
= v
T
= 2v
温度 (
°
c)
–50
40
流 sense 门槛 电压 (mv)
50
60
70
65
–25
0
25 50
1910 g08
75
80
90
45
55
75
85
100
V
+
= 24v
供应 电压 (v)
0
场效应晶体管 门 电压 在之上 v
+
(v
– v
+
) (v)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
40
ltc1266 • f04
10 20 30 503551525 45
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 25
°
C
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