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资料编号:1090797
 
资料名称:LT1910
 
文件大小: 182416K
   
说明
 
介绍:
Protected High Side MOSFET Driver
 
 


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4
LT1910
sn1910 1910fs
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
场效应晶体管 门 驱动 电流
vs v
– v
+
故障 门槛 电压
vs 温度
故障 输出 低 电压
vs 温度
转变-在 时间 vs 温度 转变-止 时间 vs 温度
自动 重新开始 时期
vs 温度
温度 (
°
c)
–50
故障 门槛 电压 (v)
3.2
3.3
3.4
3.5
3.7
–25
02550
1910 g11
75 100
3.6
3.1
V
= 2v
I
F
= 1ma
故障 高 门槛
故障 低 门槛
温度 (
°
c)
–50
0
故障 输出 低 电压 (v)
0.04
0.08
0.12
0.10
–25
0
25 50
1910 g012
75
0.16
0.20
0.02
0.06
0.14
0.18
100
I
F
= 1ma
温度 (
°
c)
–50
转变-在 时间 (
µ
s)
150
200
250
300
400
–25
02550
1910 g13
75 100
350
100
V
+
= 24v
V
= 32v
C
= 1nf
温度 (
°
c)
–50
0
转变-止 时间 (
µ
s)
20
40
60
50
–25
0
25 50
1910 g014
75
80
100
10
30
70
90
100
V
+
= 24v
V
= 2v
C
= 1nf
正常的
电流 限制
温度 (
°
c)
–30
10
100
1000
–10 10 30 50
70
1910 g15
自动 重新开始 时期 (ms)
–50
90
V
+
= 24v
C
T
= 3.3
µ
F
C
T
= 0.33
µ
F
C
T
= 0.1
µ
F
C
T
= 1
µ
F
V
– v
+
(v)
024
场效应晶体管 门 驱动 电流 (
µ
一个)
1
10
100
6 8 10 12 14 16
1910 g10
0.1
V
+
= 8v V
+
= 12v V
+
24V
T
一个
= 25
°
C
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