1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 类 一个 或者 类 ab一般 目的 产品 和
发生率从 1600 至 2200 mhz. 合适的 为 相似物 和 数字的 调制
和 multipurpose 放大器 产品.
•
典型 二-声调 效能 @ 2170 mhz: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
=
130 毫安, p
输出
= 10 watts pep
电源 增益 — 15.5 db
流 效率 — 36%
imd —-34 dbc
•
典型 2-运输车 w -cdma 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
= 130 毫安,
P
输出
= 1 watt avg., 全部 频率 带宽 (2130-2170 mhz), 频道
带宽 = 3.84 mhz. par = 8.5 db @ 0.01% probability
电源 增益 — 15.5 db
流 效率 — 15%
im3 @ 10 mhz 补偿 —-47 dbc 在 3.84 mhz 频道 带宽
acpr @ 5 mhz 补偿 —-49 dbc 在 3.84 mhz 频道 带宽
•
典型 单独的 -运输车 n-cdma 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
=
130 毫安, p
输出
= 1 watt avg., 全部 频率 带宽 (1930 -1990 mhz),
是-95 (领航员, 同步, paging, 交通量 代号 8 通过 13), 频道 band-
宽度 = 1.2288 mhz. par = 9.8 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
电源 增益 — 15.5 db
流 efficiency— 16%
acpr @ 885 khz 补偿 =-60 dbc 在 30 khz 带宽
•
典型 gsm 边缘 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
= 130 毫安, p
输出
=
4 watts avg., 全部 频率 带宽 (1805 -1880 mhz)
电源 增益 — 16 db
流 效率 — 33%
evm — 1.3% rms
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 28 vdc, 2000 mhz, 10 watts cw
输出 电源
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
内部 matched 为 使容易 的 使用
•
qualified 向上 至 一个 最大 的 32 v
DD
运作
•
整体的 静电释放 保护
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
n 后缀 indicates 含铅的-自由 terminations. rohs 一致的.
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 24 mm, 13 inch 卷轴.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
-0.5, +68 Vdc
门-源 电压 V
GS
-0.5, +12 Vdc
存储 温度 范围 T
stg
-65 至 +175
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
文档 号码: mrf6s20010n
rev. 0, 12/2005
freescale 半导体
技术的 数据
1600-2200 mhz, 10 w, 28 v
gsm/gsm 边缘
单独的 n-CDMA
2 x w-CDMA
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
MRF6S20010NR1
MRF6S20010GNR1
情况 1265-08, 样式 1
至-270-2
塑料
MRF6S20010NR1
情况 1265a-02, 样式 1
至-270-2 gull
塑料
MRF6S20010GNR1
freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
: 点此下载
