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资料编号:1123800
 
资料名称:MRF6S19100HR3
 
文件大小: 508K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf6s20010nr1 mrf6s20010gnr1
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 5. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
典型 2-运输车 w-cdma performances
(在 freescale cdma 测试 fixture, 50 ohm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 130 毫安, p
输出
=
1 w avg., f1 = 2112.5 mhz, f2 = 2122.5 mhz 和 f1 = 2157.5 mhz, f2 = 2167.5 mhz, 2-运输车 w-cdma, 3.84 mhz 频道 带宽
carriers. acpr 量过的 在 3.84 mhz 频道 带宽 @
±
5 mhz 补偿. im3 量过的 在 3.84 mhz 带宽 @
±
10 mhz 补偿.
par = 8.5 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
电源 增益 G
ps
15.5 dB
流 效率
η
D
15 %
增益 flatness 在 30 mhz 带宽 @ p
输出
= 1 w cw G
F
0.3 dB
交调 扭曲量 IM3 -47 dBc
调整 频道 电源 比率 ACPR -49 dBc
典型 n-cdma performances
(在 freescale 测试 fixture, 50 ohm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 130 毫安, p
输出
= 1 w avg.,
1930 mhz<频率<1990 mhz, 单独的-运输车 n-cdma, 1.2288 mhz 频道 带宽 运输车. acpr 量过的 在 30 khz 频道
带宽 @
±
885 khz 补偿. par = 9.8 db @ 0.01% probability 在 ccdf
电源 增益 G
ps
15.5 dB
流 效率
η
D
16 %
增益 flatness 在 30 mhz 带宽 @ p
输出
= 1 w cw G
F
0.3 dB
调整 频道 电源 比率 ACPR -60 dBc
典型 gsm 边缘 performances
(在 freescale gsm 边缘 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 130 毫安, p
输出
= 4 w avg.,
1805 mhz<频率<1880 mhz
电源 增益 G
ps
16 dB
流 效率
η
D
33 %
增益 flatness 在 30 mhz 带宽 @ p
输出
= 4 w cw G
F
0.3 dB
错误 vector 巨大 EVM 1.3 % rms
谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 SR1 -60 dBc
谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 SR2 -70 dBc
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