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资料编号:1123869
 
资料名称:MRF21120R6
 
文件大小: 364K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf284lr1 mrf284lsr1
11
rf 设备 数据
freescale 半导体
包装 维度
情况 360b-05
公布 f
NI-360
MRF284LR1
G
E
C
SEATING
平面
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
毫米
0.795 0.805 20.19 20.45
英寸
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.125 0.175 3.18 4.45
D
0.210 0.220 5.33 5.59
E
0.055 0.065 1.40 1.65
F
0.004 0.006 0.10 0.15
G
0.562 bsc 14.28 bsc
H
0.077 0.087 1.96 2.21
K
0.220 0.250 5.59 6.35
M
0.355 0.365 9.02 9.27
Q
0.125 0.135 3.18 3.43
样式 1:
管脚 1.
2.
3.
1
2
3
Q
2X
M
一个
M
aaa B
M
T
注释:
1. interpret 维度 和 容忍
每 asme y14.5m−1994.
2. controlling 维度: inch.
3. 维度 h 是 量过的 0.030 (0.762) away
从 包装 身体.
R
0.227 0.233 5.77 5.92
S
0.225 0.235 5.72 5.97
N
0.357 0.363 9.07 9.22
aaa
0.005 ref 0.13 ref
bbb
0.010 ref 0.25 ref
ccc
0.015 ref 0.38 ref
M
一个
M
bbb B
M
T
D
2X
K
2X
B
B
(flange)
H
F
M
一个
M
ccc B
M
T
M
一个
M
bbb B
M
T
一个
M
(隔热)
一个
T
N
(lid)
M
一个
M
ccc B
M
T
R
(lid)
S
(隔热)
M
一个
M
aaa B
M
T
情况 360c-05
公布 d
NI-360S
MRF284LSR1
样式 1:
管脚 1.
2.
3.
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
毫米
0.375 0.385 9.53 9.78
英寸
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.105 0.155 2.67 3.94
D
0.210 0.220 5.33 5.59
E
0.035 0.045 0.89 1.14
F
0.004 0.006 0.10 0.15
H
0.057 1.45
K
0.085 0.115 2.16 2.92
M
0.355 0.365 9.02 9.27
E
C
SEATING
平面
2
0.067 1.70
1
注释:
1. interpret 维度 和 容忍
每 asme y14.5m−1994.
2. controlling 维度: inch.
3. 维度 h 是 量过的 0.030 (0.762) away
从 包装 身体.
S
0.225 0.235 5.72 5.97
aaa
0.005 ref 0.13 ref
bbb
0.010 ref 0.25 ref
ccc
0.015 ref 0.38 ref
H
F
M
一个
M
ccc B
M
T
R
(lid)
S
(隔热)
M
一个
M
aaa B
M
T
M
一个
M
bbb B
M
T
D
2X
B
B
(flange)
M
一个
M
ccc B
M
T
M
一个
M
bbb B
M
T
M
(隔热)
T
N
(lid)
一个
(flange)
一个
K
2X
管脚 3
N
0.357 0.363 9.07 9.22
R
0.227 0.23 5.77 5.92
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