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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf284lr1 mrf284lsr1
典型 特性
I
D
, 流 电流 (模数转换器)
图示 10. 直流 safe 运行 范围
V
DD
, 流 供应 电压 (vdc)
图示 11. 电容 相比
流 源 电压
V
DS
, 流 源 电压 (伏特)
2812 2040
100
10
1
图示 12. 类 一个 第三 顺序 intercept 要点
P
在
, 输入 电源 (dbm)
60403020100
60
40
20
0
−20
−80
c, 电容 (pf)
P
输出
, 输出 电源 (dbm)
24
C
rss
168
基本的
3rd 顺序
C
oss
5035251554555
50
30
10
−10
−30
−40
−60
−50
−70
1
0
2824201612840
T
flange
= 75
°
C
T
flange
= 100
°
C
T
J
= 175
°
C
3
2
C
iss
−90
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 1.8 模数转换器
f
1
= 2000.0 mhz
f
2
= 2000.1 mhz
1.0
图示 13. 1920-2000 mhz broadband 电路 效能
f, 频率 (mhz)
1920
11
G
ps
, 增益 (db)
10
9
8
7
6
5
4
3
1940 1960 1980 2000
V
DD
= 26 vdc
P
输出
= 30 w (pep), i
DQ
= 200 毫安
Two−Tone
频率 delta = 100 khz
G
ps
η
IMD
VSWR
45
−32
−40
40
30
−36
2.0
3.0
输入 vswr
效率 (%)
35
交调
扭曲量 (dbc)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
250200150100500
1.e+10
1.e+09
1.e+07
1.e+06
1.e+05
mttf 因素 (小时 x 放大器 )
这个 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流.
生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至 更好的 比
±
10%
的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔 mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
1.e+08
2
1.e+04
图示 14. mttf 因素 相比 接合面 温度
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