mrf284lr1 mrf284lsr1
1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 pcn 和 pcs 根基 station 产品 和 发生率 从
1000 至 2600 mhz. 合适的 为 fm, tdma, cdma, 和 multicarrier 放大器
产品. 至 是 使用 在 类 一个 和 类 ab 为 pcn-pcs/cellular 无线电
和 无线的 local 循环.
•
指定 二-声调 效能 @ 2000 mhz, 26 伏特
输出 电源 = 30 watts pep
电源 增益 = 9 db
效率 = 30%
交调 扭曲量 =-29 dbc
•
典型 单独的-声调 效能 在 2000 mhz, 26 伏特
输出 电源 = 30 watts cw
电源 增益 = 9.5 db
效率 = 45%
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, 2000 mhz, 30 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 32 mm, 13 inch 卷轴.
•
低 金 镀层 厚度 在 leads. l 后缀 indicates 40
µ″
名义上的.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
-0.5, +65 Vdc
门-源 电压 V
GS
±
20 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
87.5
0.5
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
2.0
°
c/w
表格 3. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
流-源 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 10
µ
模数转换器)
V
(br)dss
65 — — Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 20 vdc, v
GS
= 0)
I
DSS
— — 1.0
µ
模数转换器
门-源 泄漏 电流
(v
GS
= 20 vdc, v
DS
= 0)
I
GSS
— — 10
µ
模数转换器
(持续)
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
文档 号码: mrf284
rev. 16, 5/2005
freescale 半导体
技术的 数据
MRF284LR1
MRF284LSR1
2000 mhz, 30 w, 26 v
lateral n-频道
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 360b-05, 样式 1
NI-360
MRF284LR1
情况 360c-05, 样式 1
NI-360S
MRF284LSR1
freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
: 点此下载
