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资料编号:1123869
 
资料名称:MRF21120R6
 
文件大小: 364K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf284lr1 mrf284lsr1
7
rf 设备 数据
freescale 半导体
典型 特性
G
ps
, 电源 增益 (db)
G
ps
, 增益 (db)
图示 4. 输出 电源 &放大; 电源 增益
相比 输入 电源
35
P
, 输入 电源 (watts)
5
0
2.0
15
25
图示 5. 输出 电源 相比 频率
10
1840
f, 频率 (mhz)
45
25
15
1.0 3.0 3.5
35
P
输出
, 输出 电源 (watts)
1800 20000
P
输出
, 输出 电源 (watts)
30
13
9
6
G
ps
, 增益 (db)
1880 1920
图示 6. 交调 扭曲量 产品
相比 输出 电源
−20
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
−80
图示 7. 电源 增益 和 交调
扭曲量 相比 供应 电压
11
V
DD
, 流 供应 电压 (vdc)
8
10
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
图示 8. 交调 扭曲量
相比 输出 电源
0.1
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
−60
10
−30
图示 9. 电源 增益 相比 输出 电源
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
8
1.0
12
10
1.0
0.1
0.1
9
10
11
10
6
20 2216
−40
−20
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
−40
−35
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 200 毫安
f = 2000 mhz 单独的 声调
40
24 26 28
13
12
−30
−25
−20
−15
−10
−70
−60
−50
−40
20
30
P
输出
= 30 w (pep)
I
DQ
= 200 毫安
f1 = 2000.0 mhz
f2 = 2000.1 mhz
G
ps
G
ps
3rd 顺序
7th 顺序
5th 顺序
P
= 1 w
4 w
V
DD
= 26 vdc
f
1
= 2000.0 mhz
f
2
= 2000.1 mhz
1.0
100 毫安
I
DQ
= 400 毫安
300 毫安
200 毫安
V
DD
= 26 vdc
f
1
= 2000.0 mhz
f
2
= 2000.1 mhz
14
11
10
20
−30
18
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 200 毫安
f
1
= 2000.0 mhz
f
2
= 2000.1 mhz
−50
P
输出
1.50.5 2.5
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 200 毫安
单独的 声调
IMD
9
7
100 毫安
I
DQ
= 400 毫安
300 毫安
200 毫安
4.0
7
8
10
12
40
18601820 1900 1940 1960 1980
2 w
3 w
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