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资料编号:1123869
 
资料名称:MRF21120R6
 
文件大小: 364K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf284lr1 mrf284lsr1
表格 3. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 150
µ
模数转换器)
V
gs(th)
2.0 3.0 4.0 Vdc
门 安静的 电压
(v
DS
= 26 vdc, i
D
= 200 madc)
V
gs(q)
3.0 4.0 5.0 Vdc
-源 在-电压
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器)
V
ds(在)
0.3 0.6 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器)
g
fs
1.5 S
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 26 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
iss
43 pF
输出 电容
(v
DS
= 26 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
oss
23 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 26 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
rss
1.4 pF
函数的 tests
(在 freescale 测试 fixture, 50 ohm 系统)
一般-源 电源 增益
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz, f2 = 2000.1 mhz)
G
ps
9 10.5 dB
流 效率
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz, f2 = 2000.1 mhz)
η
30 35 %
交调 扭曲量
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz, f2 = 2000.1 mhz)
IMD -32 -29 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz, f2 = 2000.1 mhz)
IRL -15 -9 dB
一般-源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w pep, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 1930.0 mhz, f2 = 1930.1 mhz)
G
ps
9 10.4 dB
流 效率
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w pep, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 1930.0 mhz, f2 = 1930.1 mhz)
η
35 %
交调 扭曲量
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w pep, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 1930.0 mhz, f2 = 1930.1 mhz)
IMD -34 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w pep, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 1930.0 mhz, f2 = 1930.1 mhz)
IRL -15 -9 dB
一般-源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w cw, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz)
G
ps
8.5 9.5 dB
流 效率
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w cw, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz)
η
35 45 %
输出 mismatch 压力
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 30 w cw, i
DQ
= 200 毫安,
f1 = 2000.0 mhz, vswr = 10:1,
在 所有 阶段 angles)
Ψ
非 降级 在 输出 电源
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