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nmc27c64 rev. c
nmc27c64 65,536-位 (8192 x 8) cmos 非易失存储器
读 运作
直流 电的 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= v
CC
或者 地 10
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
输出
= v
CC
或者 地, ce = v
IH
10
µ
一个
I
CC1
V
CC
电流 (起作用的) ce = v
IL
,f=5 mhz 5 20 毫安
(便条 9) ttl 输入 输入 = v
IH
或者 v
IL
, i/o = 0 毫安
I
CC2
V
CC
电流 (起作用的) ce = 地, f = 5 mhz 3 10 毫安
(便条 9) cmos 输入 输入 = v
CC
或者 地, i/o = 0 毫安
I
CCSB1
V
CC
电流 (备用物品) ce = v
IH
0.1 1 毫安
ttl 输入
I
CCSB2
V
CC
电流 (备用物品) ce = v
CC
0.5 100
µ
一个
cmos 输入
I
PP
vpp 加载 电流 V
PP
= v
CC
10
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 -0.1 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
CC
+1 V
V
OL1
输出 低 电压 I
OL
= 2.1 毫安 0.45 V
V
OH1
输出 高 电压 I
OH
= -400
µ
一个 2.4 V
V
OL2
输出 低 电压 I
OL
= 0
µ
一个 0.1 V
V
OH2
输出 高 电压 I
OH
= 0
µ
AV
CC
- 0.1 V
交流 电的 特性
NMC27C64
标识 参数 情况 150 200, e200 单位
最小值 最大值 最小值 最大值
t
ACC
地址 至 ce = oe = v
IL
150 200 ns
输出 延迟 pgm = v
IH
t
CE
ce 至 输出 延迟
oe = v
IL
, pgm = v
IH
150 200 ns
t
OE
oe 至 输出 延迟
ce = v
IL
, pgm = v
IH
60 60 ns
t
DF
oe 高 至 输出 float ce = v
IL
, pgm = v
IH
0 60 0 60 ns
t
CF
ce 高 至 输出 float oe = v
IL
, pgm = v
IH
0 60 0 60 ns
t
OH
输出 支撑 从 ce = oe = v
IL
地址, ce 或者 oe , pgm = v
IH
00ns
whichever occurred 第一
绝对 最大 比率
(便条 1)
温度 下面 偏差 -55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 -65
°
c 至 +150
°
C
所有 输入 电压 除了 a9
和 遵守 至 地面 (便条 10) +6.5v 至 -0.6v
所有 输出 电压
和 遵守 至 地面 (便条 10)v
CC
+1.0v 至 地 -0.6v
V
PP
供应 电压 和 一个
9
和 遵守 至 地面
在 程序编制 +14.0v 至 -0.6v
V
CC
供应 电压 和
遵守 至 地面 +7.0v 至 -0.6v
电源 消耗 1.0w
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 300
°
C
静电释放 比率
(mil 规格 883c,
方法 3015.2) 2000V
运行 情况
(便条 7)
温度 范围
nmc27c64q 150, 200 0
°
c 至 +70
°
C
nmc27c64n 150, 200
nmc27c64qe 200 -40
°
c 至 +85
°
C
nmc27c64ne 200
V
CC
电源 供应 +5V
±
10%
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