tps1100, tps1100y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
2
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
描述 (持续)
此类 产品 包含 notebook 计算机, 个人的 数字的 assistants (pdas), cellular telephones, 和
pcmcia cards. 为 存在 设计, 这 d-packaged 版本 有 一个 引脚 一般 和 其它 p-频道
mosfets 在 soic 包装.
tps1100y 碎片 信息
这个 碎片, 当 合适的 聚集, 显示 特性 类似的 至 这 tps1100. 热的 压缩 或者
超声的 使牢固结合 将 是 使用 在 这 掺麻醉剂 铝 使牢固结合 焊盘. 这 碎片 将 是 挂载 和
传导性的 环氧的 或者 一个 金-硅 初步加工.
使牢固结合 垫子 assignments
碎片 厚度: 15 毫英寸 典型
使牢固结合 焊盘: 4
×
4 毫英寸 最小
T
J
最大值 = 150
°
C
容忍 是
±
10%
所有 维度 是 在 毫英寸
57
64
TPS1100Y
(2)
(6)
(1)
(3)
(7)
(8)
(5)(4)
DRAINSOURCE
源
源
门
流
流
流
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