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资料编号:12325
 
资料名称:IRGPS40B120U
 
文件大小: 116.79K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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IRGPS40B120U
2 www.irf.com
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ref.图.
5, 6
7, 9
10
11
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 1200 ––– ––– V V
GE
= 0v, i
C
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 ––– 0.40 ––– v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma, (25°c-125°c)
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 ––– 3.12 3.40 I
C
= 40a V
GE
= 15v
––– 3.39 3.71 V I
C
= 50a
––– 3.88 4.39 I
C
= 40a, t
J
= 125°c
––– 4.24 4.79 I
C
= 50a, t
J
= 125°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 4.0 5.0 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 ––– -12 ––– mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 1.0ma, (25°c-125°c)
g
fe
向前 跨导 ––– 30.5 ––– S V
CE
= 50v, i
C
= 40a, pw=80µs
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 ––– ––– 500 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
––– 100 1200 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 125°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ––– ––– ±100 nA V
GE
= ±20v
8, 9
10 ,11
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Qg 总的 门 承担 (转变-在) ––– 340 510 I
C
= 40a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) ––– 43 65 nC V
CC
= 600v
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) ––– 165 248 V
GE
= 15v
E
转变-在 切换 丧失 ––– 1400 1750 µJ I
C
= 40a, v
CC
= 600v
E
转变-止 切换 丧失 ––– 1650 2050 V
GE
= 15v,r
G
= 4.7
Ω,
E
tot
总的 切换 丧失 ––– 3050 3800 ls = 150nh T
J
= 25°c
E
转变-在 切换 丧失 ––– 1950 2300 T
J
= 125°c
E
转变-止 切换 丧失 ––– 2200 2950 µJ 活力 losses 包含 "tail" 和
E
tot
总的 切换 丧失 ––– 4150 5250 二极管 reverse 恢复.
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 76 99 I
C
= 40a, v
CC
= 600v
t
r
上升 时间 ––– 39 55 V
GE
= 15v, r
G
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 332 365 ns ls = 150nh, t
J
= 125°c
t
f
下降 时间 ––– 25 33
C
ies
输入 电容 ––– 4300 ––– V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 ––– 270 ––– pF V
CC
= 30v
C
res
反转 转移 电容 ––– 160 ––– f = 1.0mhz
T
J
= 150°c, i
C
= 160a, vp =1200v
V
CC
= 1000v, v
GE
= +15v 至 0v
R
G
= 4.7
T
J
= 150°c, vp =1200v
V
CC
= 900v, v
GE
= +15v 至 0v,
R
G
= 4.7
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
17
CT1
CT4
WF1
WF2
12,14
13, 15
CT4
WF1
WF2
16
4
CT3
WF4
RBSOA 反转 偏差 safe operting 范围 全部 正方形的
SCSOA 短的 电路 safe operting 范围 10 ––– ––– µs
ref.图.
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