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1997 Sep 05 8
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
图.15  增益 控制 testcircuit 在 f = 200 mhz.
V
DD
= 12 v; g
S
= 2 ms; g
L
= 0.5 ms.
L1 = 45 nh; 4 转变 0.8 mm 铜 线, 内部的 直径 4 mm.
L2 = 160 nh; 3 转变 0.8 mm 铜 线, 内部的 直径 8 mm.
抽头的 在 大概 half 一个 转变 从 这 cold 一侧, 至 调整 g
L
= 0.5 ms. c1 调整 为 g
S
= 2 ms.
V
AGC
1 nf1 nf
50
Ω
输入
50
Ω
输入
1 nf
1 nf
L1
L2
20
µ
H
47
µ
F
1 nf
1 nf
1 nf
1 nf
47
k
Ω
1.8
k
Ω
360
Ω
140 k
Ω
1 nf
V
DD
V
DD
15 pf 10 pf
100
k
Ω
330
k
Ω
V
tun
D1
BB405
C1
5.5 pf
330
k
Ω
D2
BB405
输入
V
tun
输出
MGC481

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1997 Sep 05 8 飞利浦半导体产品规格 n-频道双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR 图.15 增益控制 testcircuit 在 f = 200 mhz. V DD = 12 v; g S = 2 ms; g L = 0.5 ms. L1 = 45 nh; 4 转变 0.8 mm 铜线, 内部的直径 4 mm. L2 = 160 nh; 3 转变 0.8 mm 铜线, 内部的直径 8 mm. 抽头的在大概 half 一个转变从这 cold 一侧, 至调整 g L = 0.5 ms. c1 调整为 g S = 2 ms. V AGC 1 nf1 nf 50 Ω 输入 50 Ω 输入 1 nf 1 nf L1 L2 20 µ H 47 µ F 1 nf 1 nf 1 nf 1 nf 47 k Ω 1.8 k Ω 360 Ω 140 k Ω 1 nf V DD V DD 15 pf 10 pf 100 k Ω 330 k Ω V tun D1 BB405 C1 5.5 pf 330 k Ω D2 BB405 输入 V tun 输出 MGC481

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