1997 Sep 05 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板.
2. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 源 含铅的.
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
动态 特性
一般 源; t
amb
=25
°
c; V
g2-s
= 4 v; i
D
= 10 毫安; v
DS
= 8 v; 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 350 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 便条 2; t
s
=90
°
C 200 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)g1-ss
门 1-源 损坏 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
g1-s
= 10 毫安 6 20 V
V
(br)g2-ss
门 2-源 损坏 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
g2-s
= 10 毫安 6 20 V
V
(p)g1-s
门 1-源 截-止 电压 V
g2-s
=4v; v
DS
=8v; i
D
=20
µ
一个
−−
2.5 V
V
(p)g2-s
门 2-源 截-止 电压 V
g1-s
= 0; v
DS
=8v; i
D
=20
µ
一个
−−
2V
I
DSS
流-源 电流 V
g2-s
=4v; v
DS
=8v; v
g1-s
=0 2 18 毫安
I
g1-ss
门 1 截-止 电流 V
g2-s
=V
DS
= 0; v
g1-s
=5V
−
50 nA
I
g2-ss
门 2 截-止 电流 V
g1-s
=V
DS
= 0; v
g2-s
=5V
−
50 nA
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
y
fs
向前 转移 admittance 搏动; t
j
=25
°
C2225
−
mS
C
ig1-s
输入 电容 在 门 1 f = 1 MHz
−
2.1 2.5 pF
C
ig2-s
输入 电容 在 门 2 f = 1 MHz
−
1.2
−
pF
C
os
流-源 电容 f = 1 MHz
−
1.05
−
pF
C
rs
反转 转移 电容 f = 1 MHz
−
25
−
fF
F 噪音 figure f = 200 mhz; g
S
= 2 ms; b
S
=B
Sopt
−
0.6
−
dB
f = 800 mhz; g
S
= 3.3 ms; b
S
=B
Sopt
−
1
−
dB
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