1997 Sep 05 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
图.3 转移 特性; 典型 值.
V
DS
=8v.
T
amb
=25
°
c.
0
24
16
8
0
11
MGC471
I
D
(毫安)
v (v)
g1 s
v = 4 v
3 v
2 v
1 v
0 v
g2 s
图.4 输出 特性; 典型 值.
V
g2-s
=4v.
T
amb
=25
°
c.
0
24
16
8
0
210
MGC470
468
I
D
(毫安)
v (v)
DS
0.4 v
0.3 v
0.2 v
0.1 v
−
0.1 v
0 v
v =
g1 s
−
0.2 v
−
0.3 v
−
0.4 v
−
0.5 v
V
DS
= 8 v; v
G2
= 4 v; t
amb
=25
°
c.
图.5 流 电流 作 一个 函数 的 门 1 电压;
典型 值.
−
1600 400
24
0
8
16
MGC472
−
1200
−
800
−
400 0
最大值 典型值
最小值
I
D
(ms)
v (mv)
G1
图.6 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
V
DS
= 8 v; t
amb
=25
°
c.
020
30
0
6
MGC473
12
18
24
4 8 12 16
y
fs
(ms)
i (毫安)
D
v = 0 v
G2
−
S
0.5 v
4 v
3 v
2 v
1 v
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