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1997 Sep 05 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
图.7 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 门 1 电压; 典型 值.
V
DS
= 8 v; t
amb
=25
°
c.
−
11
30
0
6
MGC474
12
18
24
0
v         (v)
g1-s
y
fs
(ms)
3 v
2 v
1 v
0 v
v           = 4 v
g2   s
图.8 输出 电容 作 一个 函数 的
流-源 电压; 典型 值.
V
g2-s
= 4 v; f = 1 mhz; t
amb
=25
°
c.
414
1.5
1.0
1.1
MGC475
1.2
1.3
1.4
6 8 10 12
V
DS
(v)
C
os
(pf)
12 毫安
10 毫安
8 毫安
I
d =
图.9 门 1 输入 电容 作 一个 函数 的
门 1-源 电压; 典型 值.
V
DS
= 8 v; v
g2-s
= 4 v; f = 1 mhz; t
amb
=25
°
c.
−
2.4
−
1.6
−
0.8 0.8
2.4
1.4
2.2
MGC476
0
2.0
1.8
1.6
C
是
(pf)
v         (mv)
g1-s
图.10 门 1 输入 电容 作 一个 函数 的
门 2-源 电压; 典型 值.
V
DS
= 8 v; v
g1-s
= 0 v; f = 1 mhz; t
amb
=25
°
c.
642
−
2
2.4
2.3
2.1
2.0
2.2
MGC477
0
C
是
(pf)
v         (v)
g2-s

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1997 Sep 05 6 飞利浦半导体产品规格 n-频道双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR 图.7 向前转移 admittance 作一个函数的门 1 电压; 典型值. V DS = 8 v; t amb =25 ° c. − 11 30 0 6 MGC474 12 18 24 0 v (v) g1-s y fs (ms) 3 v 2 v 1 v 0 v v = 4 v g2 s 图.8 输出电容作一个函数的流-源电压; 典型值. V g2-s = 4 v; f = 1 mhz; t amb =25 ° c. 414 1.5 1.0 1.1 MGC475 1.2 1.3 1.4 6 8 10 12 V DS (v) C os (pf) 12 毫安 10 毫安 8 毫安 I d = 图.9 门 1 输入电容作一个函数的门 1-源电压; 典型值. V DS = 8 v; v g2-s = 4 v; f = 1 mhz; t amb =25 ° c. − 2.4 − 1.6 − 0.8 0.8 2.4 1.4 2.2 MGC476 0 2.0 1.8 1.6 C 是 (pf) v (mv) g1-s 图.10 门 1 输入电容作一个函数的门 2-源电压; 典型值. V DS = 8 v; v g1-s = 0 v; f = 1 mhz; t amb =25 ° c. 642 − 2 2.4 2.3 2.1 2.0 2.2 MGC477 0 C 是 (pf) v (v) g2-s

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