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资料编号：180690
 
资料名称：BSP225
 
文件大小： 76.74K
   
说明：
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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April 1995 7
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP225
图.10 温度 系数 的 门-源
门槛 电压;
典型 v
gs(th)
在
−
1 毫安.
k
V
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()
在 T
j
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–
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()
在 25
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C
------------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
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k
150
1.1
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0.8
0.7
0.9
100
MDA711
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