April 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP225
图.6 典型 转移 典型的;
−
V
DS
= 10 v;
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
10
−
1
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
2
−
4
−
6
I
D
(一个)
−
8
MDA707
V
GS
(v)
图.7 典型 在-阻抗 作 一个 函数 的 流
电流; t
j
= 25
°
c; R
ds(在)
= f(i
D
).
handbook, halfpage
288 12
I
D
(毫安)
R
DSon
(
Ω
)
16 20 24
−
10
3
−
10
2
−
10
MDA708
V
GS
=
−
10 v
−
5 v
−
4 v
图.8 典型 capacitances 作 一个 函数 的
流-源 电压; v
GS
= 0; f = 1 mhz;
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
120
160
80
40
0
−
5
−
10
−
25
−
20
−
15
MDA734
C
(pf)
V
DS
(v)
C
rss
C
iss
C
oss
图.9 温度 系数 的 流-源
在-阻抗;
典型 r
ds(在)
在
−
200 毫安/
−
10 v.
k
R
DS 在
()
在 T
j
R
DS 在
()
在 25
°
C
----------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
2.5
0
2
100
1.5
1
0.5
MDA710
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