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April 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP225
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板, 40 x 40 x 1.5 mm, 挂载 垫子 为 这 流 含铅的 最小 6 cm
2
.
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板, 40 x 40 x 1.5 mm, 挂载 垫子 为 这 流 含铅的 最小 6 cm
2
.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
−
V
DS
流-源 电压
−
250 V
±
V
GSO
门-源 电压 打开 流
−
20 V
−
I
D
流 电流 直流 值
−
225 毫安
−
I
DM
流 电流 顶峰 值
−
600 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
= 25
°
c (便条 1)
−
1.5 W
T
stg
存储 温度 范围
−
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 值 单位
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的 (便条 1) 83.3 k/w

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April 1995 3 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP225 限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134). 便条 1. 设备挂载在一个环氧的打印-电路板, 40 x 40 x 1.5 mm, 挂载垫子为这流含铅的最小 6 cm 2 . 热的阻抗便条 1. 设备挂载在一个环氧的打印-电路板, 40 x 40 x 1.5 mm, 挂载垫子为这流含铅的最小 6 cm 2 . 标识参数情况最小值最大值单位 − V DS 流-源电压 − 250 V ± V GSO 门-源电压打开流 − 20 V − I D 流电流直流值 − 225 毫安 − I DM 流电流顶峰值 − 600 毫安 P tot 总的电源消耗向上至 t amb = 25 ° c (便条 1) − 1.5 W T stg 存储温度范围 − 65 150 ° C T j 接合面温度 − 150 ° C 标识参数值单位 R th j-一个从接合面至包围的 (便条 1) 83.3 k/w

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