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April 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP225
特性
T
j
= 25
°
C 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
−
V
(br)dss
流-源 损坏 电压
−
I
D
= 10
µ
一个
V
GS
= 0
250
−−
V
−
I
DSS
流-源 泄漏 电流
−
V
DS
= 200 v
V
GS
= 0
−−
1
µ
一个
±
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
DS
= 0
±
V
GS
= 20 v
−−
100 nA
−
V
gs(th)
门-源 门槛 电压
−
I
D
= 1 毫安
V
GS
= v
DS
0.8
−
2.8 V
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
−
I
D
= 200 毫安
−
V
GS
= 10 v
−
10 15
Ω

Y
fs

转移 admittance
−
I
D
= 200 毫安
−
V
DS
= 25 v
100 200
−
mS
C
iss
输入 电容
−
V
DS
= 25 v
−
V
GS
= 0
f = 1 mhz
−
65 90 pF
C
oss
输出 电容
−
V
DS
= 25 v
−
V
GS
= 0
f = 1 mhz
−
20 30 pF
C
rss
反馈 电容
−
V
DS
= 25 v
−
V
GS
= 0
f = 1 mhz
−
615pF
切换 时间 (看 figs
2
和
3
)
t
在
转变-在 时间
−
I
D
= 250 毫安
−
V
DD
= 50 v
−
V
GS
= 0 至 10 v
−
510ns
t
止
转变-止 时间
−
I
D
= 250 毫安
−
V
DD
= 50 v
−
V
GS
= 0 至 10 v
−
20 30 ns

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April 1995 4 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP225 特性 T j = 25 ° C 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 − V (br)dss 流-源损坏电压 − I D = 10 µ 一个 V GS = 0 250 −− V − I DSS 流-源泄漏电流 − V DS = 200 v V GS = 0 −− 1 µ 一个 ± I GSS 门-源泄漏电流 V DS = 0 ± V GS = 20 v −− 100 nA − V gs(th) 门-源门槛电压 − I D = 1 毫安 V GS = v DS 0.8 − 2.8 V R ds(在) 流-源在-阻抗 − I D = 200 毫安 − V GS = 10 v − 10 15 Ω  Y fs  转移 admittance − I D = 200 毫安 − V DS = 25 v 100 200 − mS C iss 输入电容 − V DS = 25 v − V GS = 0 f = 1 mhz − 65 90 pF C oss 输出电容 − V DS = 25 v − V GS = 0 f = 1 mhz − 20 30 pF C rss 反馈电容 − V DS = 25 v − V GS = 0 f = 1 mhz − 615pF 切换时间 (看 figs 2 和 3 ) t 在转变-在时间 − I D = 250 毫安 − V DD = 50 v − V GS = 0 至 10 v − 510ns t 止转变-止时间 − I D = 250 毫安 − V DD = 50 v − V GS = 0 至 10 v − 20 30 ns

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