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半导体 组
3 12/05/1997
bss 92
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= -15 一个
g
fs
0.06 0.12 -
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 95 130
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 20 30
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 10 15
转变-在 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -0.25 一个
R
G
= 50
Ω
t
d(在)
- 8 12
ns
上升 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -0.25 一个
R
G
= 50
Ω
t
r
- 25 40
转变-止 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -0.25 一个
R
G
= 50
Ω
t
d(止)
- 25 33
下降 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -0.25 一个
R
G
= 50
Ω
t
f
- 42 55

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半导体组 3 12/05/1997 bss 92 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值动态特性跨导 V DS ≥ 2 * I d * R ds(在)最大值, I D = -15 一个 g fs 0.06 0.12 - S 输入电容 V GS = 0 v, V DS = -25 v, f = 1 mhz C iss - 95 130 pF 输出电容 V GS = 0 v, V DS = -25 v, f = 1 mhz C oss - 20 30 反转转移电容 V GS = 0 v, V DS = -25 v, f = 1 mhz C rss - 10 15 转变-在延迟时间 V DD = -30 v, V GS = -10 v, I D = -0.25 一个 R G = 50 Ω t d(在) - 8 12 ns 上升时间 V DD = -30 v, V GS = -10 v, I D = -0.25 一个 R G = 50 Ω t r - 25 40 转变-止延迟时间 V DD = -30 v, V GS = -10 v, I D = -0.25 一个 R G = 50 Ω t d(止) - 25 33 下降时间 V DD = -30 v, V GS = -10 v, I D = -0.25 一个 R G = 50 Ω t f - 42 55

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