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半导体 组
5 12/05/1997
bss 92
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
一个
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
W
1.2
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
一个
)
参数:
V
GS
≥
-10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.00
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
-0.10
-0.12
一个
-0.16
I
D
safe 运行 范围
I
D
=f(
V
DS
)
参数 :
D
= 0.01,
T
C
=25°C
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
-215
-220
-225
-230
-235
-240
-245
-250
-255
-260
-265
-270
-275
V
-285
V
(br)dss

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半导体组 5 12/05/1997 bss 92 电源消耗 P tot = ƒ ( T 一个 ) 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T 一个 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 W 1.2 P tot 流电流 I D = ƒ ( T 一个 ) 参数: V GS ≥ -10 v 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T 一个 0.00 -0.02 -0.04 -0.06 -0.08 -0.10 -0.12 一个 -0.16 I D safe 运行范围 I D =f( V DS ) 参数 : D = 0.01, T C =25°C 流-源损坏电压 V (br)dss = ƒ ( T j ) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j -215 -220 -225 -230 -235 -240 -245 -250 -255 -260 -265 -270 -275 V -285 V (br)dss

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