半导体 组
6 12/05/1997
bss 92
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs ,
T
j
= 25 °c
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 V -10
V
DS
0.00
-0.04
-0.08
-0.12
-0.16
-0.20
-0.24
-0.28
一个
-0.34
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -2.0
b
b -2.5
c
c -3.0
d
d -3.5
e
e -4.0
f
f -4.5
g
g -5.0
h
h -6.0
i
i -7.0
j
j -8.0
k
k -9.0
l
P
tot
= 1w
l -10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.00 -0.04 -0.08 -0.12 -0.16 -0.20 一个 -0.26
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
Ω
65
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
一个
-2.0
b
b
-2.5
c
c
-3.0
d
d
-3.5
e
e
-4.0
f
f
-4.5
g
g
-5.0
h
h
-6.0
i
i
-7.0
j
j
-8.0
k
k
-9.0
l
l
-10.0
典型值 转移 特性
I
D
= f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 V -10
V
GS
0.00
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
一个
-0.40
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0.00 -0.05 -0.10 -0.15 -0.20 -0.25 -0.30 一个 -0.40
I
D
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
S
0.20
g
fs
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