7 12/05/1997
半导体 组
bss 92
流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= -0.15 一个,
V
GS
= -10 v
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Ω
50
R
ds (在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs (th)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= -1 毫安
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
-4.0
V
-4.6
V
gs(th)
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
2%
典型值
98%
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
= 1 mhz
0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 V -40
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
oss
C
iss
C
rss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
ƒ
(
V
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
-3
-10
-2
-10
-1
-10
0
-10
一个
I
F
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 V -3.0
V
SD
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
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