bts 410 f2
半导体 组 3
2003-oct-01
电的 特性
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (管脚 3 至 5)
I
L
= 1.6 一个
T
j
=25 °c:
T
j
=150 °c:
R
在
--
190
390
220
440
m
Ω
名义上的 加载 电流, iso norm (管脚 3 至 5)
V
在
= 0.5 v,
T
C
= 85 °c
I
l(iso)
1.6
1.8 -- 一个
输出 电流 (管脚
5
) 当 地 disconnected 或者
地 牵引的 向上,
V
bb
=30 v,
V
在
= 0, 看 图解
页 7,
T
j
=-40...+150°c
I
l(gndhigh)
-- --1 毫安
转变-在 时间 在 至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 在
至 10%
V
输出
:
R
L
= 12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
t
在
t
止
12
5
--
--
125
85
µ
s
回转 比率 在
10 至 30%
V
输出
,
R
L
= 12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
d
V
/dt
在
-- -- 3 v/
µ
s
回转 比率 止
70 至 40%
V
输出
,
R
L
= 12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
-d
V
/dt
止
-- -- 6 v/
µ
s
运行 参数
运行 电压
6
)
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
4.7 -- 42 V
欠压 关闭
T
j
=25°c:
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(下面)
2.9
2.7
--
--
4.5
4.7
V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(u rst)
-- -- 4.9 V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 图解 页 13
V
bb(ucp)
-- 5.6 6.0 V
欠压 hysteresis
∆
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
∆
V
bb(下面)
-- 0.1 -- V
超（电）压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
42 -- 52 V
超（电）压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(o rst)
40 -- -- V
超（电）压 hysteresis
T
j
=-40...+150°c:
∆
V
bb(在)
-- 0.1 -- V
超（电）压 保护
7
)
T
j
=-40...+150°c:
I
bb
=4 毫安
V
bb(az)
65 70
-- V
备用物品 电流 (管脚 3)
T
j
=-40...+25°c
:
V
在
=0
T
j
= 150°c:
I
bb(止)
--
--
10
18
15
25
µ
一个
泄漏 输出 电流 (包含 在
I
bb(止)
)
V
在
=0
I
l(止)
-- -- 20
µ
一个
运行 电流 (管脚 1)
8
)
,
V
在
=5 v,
T
j
=-40...+150°c
I
地
-- 1 2.1 毫安
6
)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
= 5.6 v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
≈
V
bb
- 2 v
7
)
meassured 没有 加载
.
看 也
V
在(cl)
在 表格 的 保护 功能 和 电路 图解 页 7.
8
)
增加
I
ST
, 如果
I
ST
> 0, 增加
I
在
, 如果
V
在
>5.5 v
: 点此下载
