bts 640 s2
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 页 4 2003-oct-01
运行 参数
运行 电压
5
)
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
5.0 -- 34 V
欠压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(下面)
3.2 -- 5.0 V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=+150°c:
V
bb(u rst)
-- 4.5 5.5
6.0
V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 图解 页 13
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=25...150°c:
V
bb(ucp)
--
--
4.7
--
6.5
7.0
V
欠压 hysteresis
∆
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
∆
V
bb(下面)
-- 0.5 -- V
超（电）压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
34 -- 43 V
超（电）压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(o rst)
33 -- -- V
超（电）压 hysteresis
T
j
=-40...+150°c:
∆
V
bb(在)
-- 1 -- V
超（电）压 保护
6
)
T
j
=-40°c:
I
bb
=40 毫安
T
j
=+25...+150°c
V
bb(az)
41
43
--
47
--
52
V
备用物品 电流 (管脚 4)
V
在
=0
T
j
=-40...+25°c
:
T
j
= 150°c:
I
bb(止)
--
--
4
12
15
25
µ
一个
止 状态 输出 电流 (包含 在
I
bb(止)
)
V
IN=0
,
T
j
=-40...+150°c
:
I
l(止)
-- -- 10
µ
一个
运行 电流
(管脚 2)
7)
,
V
在
=5 v
I
地
-- 1.2 3 毫安
5
)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
= 4.7 v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
≈
V
bb
- 2 v
6)
供应 电压 高等级的 比 v
bb(az)
需要 一个 外部 电流 限制 为 这 地 和 状态 管脚 (一个 150
Ω
电阻 在 这 地 连接 是 推荐). 看 也
V
在(cl)
在 表格 的 保护 功能 和
电路 图解 页 9.
7
)
增加
I
ST
, 如果
I
ST
> 0, 增加
I
在
, 如果
V
在
>5.5 v
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