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bts 640 s2
半导体 组 页  8 2003-oct-01
条款
PROFET
V
是
ST
输出
地
bb
V
ST
V
在
I
ST
I
在
V
bb
I
bb
I
地
6
2
4
3
5
在
V
是
I
是
V
输出
V
在
I
L
输出
1
7
R
地
输入 电路 (静电释放 保护)
在
地
I
R
静电释放-zd
I
I
I
这 使用 的 静电释放 齐纳 二极管 作 电压 clamp 在 直流
情况 是 不 推荐.
状态 输出
ST
地
静电释放-
ZD
+5V
R
st(在)
静电释放-齐纳 二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 5 ma;
R
st(在)
< 440
Ω
在 1.6 毫安,
这 使用 的 静电释放 齐纳
二极管 作 电压 clamp 在 直流 情况 是 不
推荐.
电流 sense 输出
是
地
是
R
是
I
静电释放-zd
是
V
静电释放-齐纳 二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 14 ma;
R
是
= 1 k
Ω
名义上的
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 47 v 典型值

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bts 640 s2 半导体组页 8 2003-oct-01 条款 PROFET V 是 ST 输出地 bb V ST V 在 I ST I 在 V bb I bb I 地 6 2 4 3 5 在 V 是 I 是 V 输出 V 在 I L 输出 1 7 R 地输入电路 (静电释放保护) 在地 I R 静电释放-zd I I I 这使用的静电释放齐纳二极管作电压 clamp 在直流情况是不推荐. 状态输出 ST 地静电释放- ZD +5V R st(在) 静电释放-齐纳二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 5 ma; R st(在) < 440 Ω 在 1.6 毫安, 这使用的静电释放齐纳二极管作电压 clamp 在直流情况是不推荐. 电流 sense 输出是地是 R 是 I 静电释放-zd 是 V 静电释放-齐纳二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 14 ma; R 是 = 1 k Ω 名义上的 inductive 和超（电）压输出 clamp + v bb 输出地 PROFET V Z V 在 V 在 clamped 至 47 v 典型值

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