bts 640 s2
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 页 6 2003-oct-01
电流 sense 安排好 时间 至
I
是 静态的
±
10% 之后
积极的 输入 斜度
13
)
,
I
L
= 0 5 一个,
T
j
= -40...+150°c
t
son(是)
--
--
300
µ
s
电流 sense 安排好 时间 至 10% 的
I
是
静态的 之后
负的 输入 斜度
13
)
,
I
L
= 5 0 一个 ,
T
j
= -40...+150°c
t
soff(是)
--
30
100
µ
s
电流 sense 上升 时间 (60% 至 90%) 之后 改变
的 加载 电流
13
)
,
I
L
= 2.5 5 一个
t
slc(是)
--
10
--
µ
s
打开 加载 发现 电压
14
)
(止-情况)
T
j
=-40..150°c:
V
输出(ol)
2 3
4V
内部的 输出 拉 向下
(管脚 6 至 2),
V
输出
=5 v,
T
j
=-40..150°c
R
O
5
15 40 k
Ω
输入 和 状态 反馈
15
)
输入 阻抗
看 电路 页 8
R
I
3,0
4,5 7,0
k
Ω
输入 转变-在 门槛 电压
T
j
=-40..+150
°
C
:
V
在(t+)
-- -- 3.5 V
输入 转变-止 门槛 电压
T
j
=-40..+150
°
C
:
V
在(t-)
1.5 -- -- V
输入 门槛 hysteresis
∆
V
在(t)
-- 0.5 -- V
止 状态 输入 电流
(管脚 3),
V
在
= 0.4 v
T
j
=-40..+150°c
I
在(止)
1
-- 50
µ
一个
在 状态 输入 电流
(管脚 3),
V
在
= 5 v
T
j
=-40..+150°c
I
在(在)
20
50 90
µ
一个
延迟 时间 为 状态 和 打开 加载
之后 输入 neg. 斜度 (看 图解 页 13)
t
d(st ol3)
--
400
--
µ
s
状态 延迟 之后 积极的 输入 斜度
13
)
T
j
=-40 ... +150°c:
t
don(st)
--
13
--
µ
s
状态 延迟 之后 负的 输入
斜度
13
)
T
j
=-40 ... +150°c:
t
doff(st)
--
1
--
µ
s
状态 输出 (打开 流)
齐纳 限制 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
st 低 电压
T
j
=-40...+25°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
T
j
= +150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
V
st(高)
V
st(低)
5.4
--
--
6.1
--
--
6.9
0.4
0.7
V
状态 泄漏 电流,
V
ST
= 5 v,
T
j
=25 ... +150°c:
I
st(高)
-- -- 2
µA
13)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
14)
外部 拉 向上 电阻 必需的 为 打开 加载 发现 在 止 状态.
15)
如果 一个 地面 电阻 r
地
是 使用, 增加 这 电压 漏出 横过 这个 电阻.
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