bts 640 s2
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 页 5 2003-oct-01
保护 功能
8)
最初的 顶峰 短的 电路 电流 限制
(管脚 4 至 6&放大;7)
I
l(scp)
T
j
=-40°c:
T
j
=25°c:
T
j
=+150°c:
48
40
31
56
50
37
65
58
45
一个
repetitive 短的 电路 关闭 电流 限制
I
l(scr)
T
j
=
T
jt
(看 定时 图解, 页 12)
-- 24 -- 一个
输出 clamp
(inductive 加载 转变 止)
在
V
输出
=
V
bb
-
V
在(cl)
;
I
L
= 40 毫安,
T
j
=-40°c:
T
j
=+25..+150°c:
V
在(cl)
41
43
--
47
--
52
V
热的 超载 trip 温度
T
jt
150 -- -- °C
热的 hysteresis
∆
T
jt
-- 10 -- K
反转 电池
(管脚 4 至 2)
9
)
-
V
bb
-- -- 32 V
反转 电池 电压 漏出
(v
输出
> v
bb
)
I
L
= -5 一个
T
j
=150 °c:
-v
在(rev)
--
600 -- mV
diagnostic 特性
电流 sense 比率
10)
, 静态的 在-情况,
V
是
= 0...5 v,
V
bb(在)
= 6.5
11)
...27v,
k
ILIS
=
I
L
/
I
是
T
j
= -40°c,
I
L
= 5 一个:
k
ILIS
4550
5000
6000
T
j
= -40°c,
I
L
= 0.5 一个:
3300 5000
8000
T
j
= 25...+150°c,
I
L
= 5 一个:
,
T
j
= 25...+150°c,
I
L
= 0.5 一个:
4550
4000
5000
5000
5550
6500
电流 sense 输出 电压 限制
T
j
= -40 ...+150°c
I
是
= 0,
I
L
= 5 一个:
V
是(lim)
5.4
6.1
6.9 V
电流 sense 泄漏/补偿 电流
T
j
= -40 ...+150°c
V
在
=0,
V
是
= 0,
I
L
= 0:
I
是(ll)
0
--
1
µ
一个
V
在
=5 v,
V
是
= 0,
I
L
= 0:
I
是(lh)
0 --
15
V
在
=5 v,
V
是
= 0,
V
输出
= 0
(短的 电路):
I
是(sh)
12 )
0 --
10
8)
整体的 保护 功能 是 设计 至 阻止ic destruction 下面 故障 情况 描述 在 这
数据 薄板. 故障 情况 是 考虑 作 "外部" 正常的 运行 范围. 保护 功能 是 不
设计 为 持续的 repetitive 运作.
9
)
需要 150
Ω
电阻 在 地 连接. 这 反转 加载 电流 通过 这 intrinsic 流-源
二极管 有 至 是 限制 用 这 连接 加载. 便条 那 这 电源 消耗 是 高等级的 对照的 至 正常的
运行 情况 预定的 至 这 电压 漏出 横过 这 intrinsic 流-源 二极管. 这 温度
保护 是 不 起作用的 在 反转 电流 operation! 输入 和 状态 电流 有 至 是 限制 (看
最大值 比率 页 2 和 电路 页 9).
10)
这个 范围 为 这 电流 sense 比率 谈及 至 所有 设备. 这 精度 的 这
k
ILIS
能 是 raised 在 least 用
一个 因素 的 二 用 相一致 这 值 的
k
ILIS
为 每 单独的 设备.
在 这 情况 的 电流 限制 这 sense 电流
I
是
是 零 和 这 diagnostic 反馈 潜在的
V
ST
是
高. 看 图示 2b, 页 11.
11)
有效的 如果
V
bb(u rst)
是 超过 在之前.
12)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
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