飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
热的 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th j-mb
接合面 至 挂载 根基 - - 1.3 1.67 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 最小 footprint fr4 pcb - 50 - k/w
(看 图. 23)
静态的 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 V
是
= 0 v; i
D
= 10 毫安 50 - - V
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 V
是
= 0 v; i
DM
= 2 一个; t
p
≤
300
µ
s; - - 70 V
δ
≤
0.01
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 12 v; v
是
= 0 v - 0.5 10
µ
一个
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 50 v; v
是
= 0 v - 1 20
µ
一个
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 40 v; v
是
= 0 v; t
j
= 125 ˚c - 10 100
µ
一个
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
是
= 5 v; i
DM
= 13 一个; t
p
≤
300
µ
s; - 45 60 m
Ω
阻抗
1
δ
≤
0.01
超载 保护 特性
topfet switches 止 当 一个 的 这 超载 门槛 是 reached. 它 仍然是 latched 止 直到 重置 用 这 输入.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
短的 电路 加载 保护
2
T
mb
= 25 ˚c; l
≤
10
µ
h; r
L
= 10 m
Ω
E
ds(至)
超载 门槛 活力 V
DD
= 13 v; v
是
= 5 v - 0.4 - J
t
d sc
回馈 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 5 v - 0.8 - ms
I
d(sc)
流 电流
3
V
DD
= 13 v; v
是
= 5 v - 45 - 一个
I
dm(sc)
顶峰 流 电流
4
V
是
= 5 v; v
DD
= 13 v - 105 - 一个
在 温度 保护
T
j(至)
门槛 接合面 温度 V
是
= 5 v; 从 i
D
≥
1 一个
5
150 - - ˚C
转移 典型的
T
mb
= 25 ˚c
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 10 v; i
DM
= 13 一个 t
p
≤
300
µ
s; 10 16 - S
δ
≤
0.01
1
持续的 输入 电压. 这 指定 脉冲波 宽度 是 为 这 流 电流.
2
谈及 至 超载 保护 限制的 值.
3
持续的 流-源 供应 电压. 搏动 输入 电压.
4
持续的 输入 电压. momentary 短的 电路 加载 连接. (这 高等级的 顶峰 电流 是 预定的 至 这 效应 的 电容 cgd).
5
这 在 温度 保护 特性 需要 一个 最小 在-状态 流 源 电压 为 准确无误的 运作. 这 指定 最小 i
D
确保 这个 情况.
六月 1996 3 rev 1.000
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