飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.8. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)
25 ˚c = f(t
j
); i
D
= 13 一个; v
是
= 5 v
图.9. 典型 超载 保护 特性.
t
d sc
= f(p
DS
); 情况: v
是
≥
4 v; t
j
= 25 ˚c.
图.10. normalised 限制的 超载 消耗.
P
DSM
% =100
⋅
P
DSM
/p
DSM
(25 ˚c) = f(t
mb
)
图.11. 典型 超载 保护 特性.
情况: v
DD
= 13 v; v
是
= 5 v; sc 加载 = 30 m
Ω
图.12. 典型 夹紧 特性, 25 ˚c.
I
D
= f(v
DS
); 情况: v
是
= 0 v; t
p
≤
50
µ
s
图.13. 输入 门槛 电压.
V
是(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= 5 v
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
一个
normalised rds(在) = f(tj)
1.5
1.0
0.5
0
-60 -20 20 60 100 140 180 220
tmb / c
buk109-50dl
1
0.5
0
活力 / j
时间 / ms
tj(至)
活力 &放大; 时间
0.1 1 10
pds / kw
td sc / ms
buk109-50dl
100
10
1
0.1
PDSM
50 60 70
vis / v
id / 一个
buk109-50dl
30
20
10
0
典型值
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vis(至) / v
2
1
0
最大值
典型值
最小值
六月 1996 6 rev 1.000
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