飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
输入 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定. 这 供应 为 这 逻辑 和 超载 保护 是 带去 从 这 输入.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
是(至)
输入 门槛 电压 V
DS
= 5 v; i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
I
是
输入 供应 电流 正常的 运作; V
是
= 5 v 100 200 350
µ
一个
V
是
= 4 v - 160 270
µ
一个
V
ISR
保护 重置 电压
1
T
j
= 25 ˚c 2.0 2.6 3.5 V
T
j
= 150 ˚c 1.0 - -
I
ISL
输入 供应 电流 保护 latched; V
是
= 5 v - 330 650
µ
一个
V
是
= 3.5 v - 240 430
µ
一个
V
(br)是
输入 损坏 电压 I
I
= 10 毫安 6 - - V
R
IG
输入 序列 阻抗 T
j
= 25 ˚c - 33 - k
Ω
至 门 的 电源 场效应晶体管 T
j
= 150 ˚c - 50 - k
Ω
切换 特性
T
mb
= 25 ˚c. r
I
= 50
Ω
. 谈及 至 波形 图示 和 测试 电路.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 5 v - 17 -
µ
s
t
r
上升 时间 resistive 加载 r
L
= 2.1
Ω
-75-
µ
s
t
d 止
转变-止 延迟 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 0 v - 60 -
µ
s
t
f
下降 时间 resistive 加载 r
L
= 2.1
Ω
-70-
µ
s
反转 二极管 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
S
持续的 向前 电流 T
mb
≤
25 ˚c; v
是
= 0 v - 26 一个
反转 二极管 特性
T
mb
= 25 ˚c
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SDO
向前 电压 I
S
= 26 一个; v
是
= 0 v; t
p
= 300
µ
s - 1.0 1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间 不 适用
2
----
封套 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 upper 边缘 的 tab - 2.5 - nH
至 centre 的 消逝
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 - 7.5 - nH
焊接 要点 至 源 bond 垫子
1
这 输入 电压 在下 这个 这 超载 保护 电路 将 是 重置.
2
这 反转 二极管 的 这个 类型 是 不 将 为 产品 需要 快 反转 恢复.
六月 1996 4 rev 1.000
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