飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.2. normalised 电源 消耗.
P
D
% = 100
⋅
P
D
/p
D
(25 ˚c) = f(t
mb
)
图.3. normalised 持续的 流 电流.
I
D
% = 100
⋅
I
D
/i
D
(25 ˚c) = f(t
mb
); 情况: v
是
= 5 v
图.4. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.5. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th
j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.6. 典型 在-状态 特性, t
j
= 25 ˚c.
id = f(v
DS
); 参数 v
是
; t
p
= 2 ms
图.7. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
是
; t
p
= 2 ms
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
t / s
zth / (k/w)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
buk109-50dl
d =
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4
vds / v
id / 一个
buk109-50dl
50
40
30
20
10
0
135
vis / v =
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
1 100
vds / v
id &放大; idm / 一个
1000
100
10
1
直流
buk109-50dl
10
rds(在) = vds/id
超载 保护 特性 不 显示
100 美国
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0 20 40
id / 一个
rds / mohm
buk109-50dl
120
100
80
60
40
20
0
vis / v =
4.5
5
5.5
6
4
3.5
六月 1996 5 rev 1.000
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