飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DSS
持续的 止-状态 流 源 V
是
= 0 v - 50 V
电压
1
V
是
持续的 输入 电压 - 0 11 V
I
D
持续的 流 电流 T
mb
≤
25 ˚c; v
是
= 10 v - 29 一个
I
D
持续的 流 电流 T
mb
≤
100 ˚c; v
是
= 10 v - 18 一个
I
DRM
repetitive 顶峰 在-状态 流 电流 T
mb
≤
25 ˚c; v
是
= 10 v - 120 一个
P
D
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25 ˚c - 75 W
T
stg
存储 温度 - -55 150 ˚C
T
j
持续的 接合面 温度
2
正常的 运作 - 150 ˚C
T
出售
含铅的 温度 在 焊接 - 250 ˚C
超载 保护 限制的 值
和 这 保护 供应 提供 通过 这 输入 管脚, topfet 能 保护 它自己 从 二 类型 的 超载.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
ISP
保护 供应 电压
3
为 有效的 保护 5 - V
在 温度 保护
V
ddp(t)
保护 流 源 供应 电压 V
是
= 10 v - 50 V
短的 电路 加载 保护
V
ddp(p)
保护 流 源 供应 电压
4
V
是
= 10 v - 20 V
V
是
= 5 v - 35 V
P
DSM
instantaneous 超载 消耗 T
mb
= 25 ˚c - 1.3 kW
超（电）压 夹紧 限制的 值
在 一个 流 源 电压 在之上 50 v 这 电源 场效应晶体管 是 actively 转变 在 至 clamp 超（电）压 过往旅客.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
DROM
repetitive 顶峰 夹紧 电流 V
是
= 0 v - 29 一个
E
DSM
非-repetitive 夹紧 活力 T
mb
≤
25 ˚c; i
DM
= 27 一个; - 625 mJ
V
DD
≤
20 v; inductive 加载
E
DRM
repetitive 夹紧 活力 T
mb
≤
95 ˚c; i
DM
= 8 一个; - 40 mJ
V
DD
≤
20 v; f = 250 hz
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 电容 人 身体 模型; - 2 kV
电压 c = 250 pf; r = 1.5 k
Ω
1
较早的 至 这 onset 的 超（电）压 夹紧. 为 电压 在之上 这个 值, safe 运作 是 限制 用 这 超（电）压 夹紧 活力.
2
一个 高等级的 t
j
是 允许 作 一个 超载 情况 但是 在 这 门槛 t
j(至)
这 在 温度 trip 运作 至 保护 这 转变.
3
这 输入 电压 为 这个 这 超载 保护 电路 是 函数的.
4
这 设备 是 能 至 自-保护 相反 一个 短的 电路 加载 供应 这 流-源 供应 电压 做 不 超过 v
ddp(p)
最大.
为 更远 信息, 谈及 至 超载 保护 特性.
january 1993 2 rev 1.200
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