1997 8月 13 2
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but12f; but12af
热的 特性
注释
1. 挂载
没有
散热器 复合 和 30
±
5 n 强迫 在 centre 的 包装.
2. 挂载
和
散热器 复合 和 30
±
5 n 强迫 在 centre 的 包装.
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 挂载
没有
散热器 复合 和 30
±
5 n 强迫 在 centre 的 包装.
分开 特性
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-h
热的 阻抗 从 接合面 至 外部 散热器 便条 1 5.5 k/w
便条 2 3.9 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 55 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 顶峰 电压 V
是
=0
BUT12F
−
850 V
BUT12AF
−
1000 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
BUT12F
−
400 V
BUT12AF
−
450 V
I
Csat
集电级 饱和 电流
BUT12F
−
6A
BUT12AF
−
5A
I
C
集电级 电流 (直流) 看 figs 2 和 4
−
8A
I
CM
集电级 电流 (顶峰 值) 看 图.2
−
20 一个
I
B
根基 电流 (直流)
−
4A
I
BM
根基 电流 (顶峰 值)
−
6A
P
tot
总的 电源 消耗 T
h
≤
25
°
c; 看 图.3; 便条 1
−
23 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
V
isolM
分开 电压 从 所有 terminals 至 外部 散热器 (顶峰 值)
−
1500 V
C
isol
分开 电容 从 集电级 至 外部 散热器
−
12 pF
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