1997 8月 13 3
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but12f; but12af
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 量过的 和 一个 half-sinewave 电压 (曲线 tracer).
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
C
= 100 毫安; i
Boff
= 0; l = 25 mh;
看 Figs 5 和 6
BUT12F 400
−−
V
BUT12AF 450
−−
V
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压
BUT12F I
C
= 6 一个; i
B
= 1.2 一个; 看
Figs 7 和 9
−−
1.5 V
BUT12AF I
C
= 5 一个; i
B
= 1 一个; 看
Figs 7 和 9
−−
1.5 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压
BUT12F I
C
= 6 一个; i
B
= 1.2 一个; 看 图.7
−−
1.5 V
BUT12AF I
C
= 5 一个; i
B
= 1 一个; 看 图.7
−−
1.5 V
I
CES
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
=V
CESMmax
; v
是
= 0; 便条 1
−−
1mA
V
CE
=V
CESMmax
; v
是
=0;
T
j
= 125
°
c; 便条 1
−−
3mA
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=9v; i
C
=0
−−
10 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v; i
C
= 10 毫安; 看 图.10 10 18 35
V
CE
=5v; i
C
= 1 一个; 看 图.10 10 20 35
切换 时间 resistive 加载
(看 图.12)
t
在
转变-在 时间
BUT12F I
Con
= 6 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
= 1.2 一个
−−
1
µ
s
BUT12AF I
Con
= 5 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
=1A
−−
1
µ
s
t
s
存储 时间
BUT12F I
Con
= 6 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
= 1.2 一个
−−
4
µ
s
BUT12AF I
Con
= 5 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
=1A
−−
4
µ
s
t
f
下降 时间
BUT12F I
Con
= 6 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
= 1.2 一个
−−
0.8
µ
s
BUT12AF I
Con
= 5 一个; i
Bon
=
−
I
Boff
=1A
−−
0.8
µ
s
切换 时间 inductive 加载
(看 图.14)
t
s
存储 时间
BUT12F I
Con
= 6 一个; i
Bon
= 1.2 一个;
V
CL
= 250 v; t
c
= 100
°
C
−
1.9 2.5
µ
s
BUT12AF I
Con
= 5 一个; i
Bon
=1a;
V
CL
= 300 v; t
c
= 100
°
C
−
1.9 2.5
µ
s
t
f
下降 时间
BUT12F I
Con
= 6 一个; i
Bon
= 1.2 一个;
V
CL
= 250 v; t
c
= 100
°
C
−
200 300 ns
BUT12AF I
Con
= 5 一个; i
Bon
=1a;
V
CL
= 300 v; t
c
= 100
°
C
−
200 300 ns
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