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资料编号:185583
资料名称:
BUZ104SL
文件大小: 126.39K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175∑C operating temperature)
: 点此下载
1
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8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
29/jan/1998
buz 104 sl
SPP13N05L
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 8.8 一个
g
fs
5
-
-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
317
400
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
97
120
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
54
70
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 12.5 一个
R
G
= 16
Ω
t
d(在)
-
14.5
22
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 12.5 一个
R
G
= 16
Ω
t
r
-
106
160
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 12.5 一个
R
G
= 16
Ω
t
d(止)
-
11
17
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 12.5 一个
R
G
= 16
Ω
t
f
-
13.5
20
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v,
I
D
≥
0.1 一个,
V
GS
=0 至 1 v
Q
g(th)
-
0.37
0.56
nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 12.5 一个,
V
GS
=0 至 5 v
Q
g(5)
-
7.85
12
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 12.5 一个,
V
GS
=0 至 10 v
Q
g(总的)
-
13.44
20
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 12.5 一个
V
(plateau)
-
4
-
V
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