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数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst37vf512 / sst37vf010 / sst37vf020 / sst37vf040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71151-02-000 5/01 397
字节-程序 运作
这 sst37vf512/010/020/040 是 编写程序 用 使用
一个 外部 programmer. 这 程序编制 模式 是 acti-
vated 用 asserting 12v (±5%) 在 oe# 管脚 和 v
IL
在 ce#
管脚. 这 设备 是 编写程序 使用 一个 单独的 脉冲波 (we#
管脚 低) 的 10 µs 每 字节. 使用 这 mtp 程序编制
algorithm, 这 字节-程序 处理 持续 字节-用-
字节 直到 这 全部 碎片 有 被 编写程序. 谈及 至
图示 10 为 这 flowchart 和 图示 6 为 这 定时 dia-
gram.
碎片-擦掉 运作
这 仅有的 方法 至 改变 一个 数据 从 一个
“
0
”
至
“
1
”
是 用 electri-
cal 擦掉 那 改变 每 位 在 这 设备 至
“
1
”
. 这
sst37vf512/010/020/040 使用 一个 电的 碎片-擦掉
运作. 这 全部 碎片 能 是 erased 在 100 ms (we#
管脚 低). 在 顺序 至 活动 擦掉 模式, 这 12v (±5%) 是
应用 至 oe# 和 一个
9
管脚 当 ce# 是 低. 所有 其它
地址 和 数据 管脚 是
“
don
’
t 小心
”
. 这 下落 边缘 的
we# 将 开始 这 碎片-擦掉 运作. once 这 碎片 有
被 erased, 所有 字节 必须 是 核实 为 ffh. 谈及 至 图-
ure 9 为 这 flowchart 和 图示 5 为 这 定时 图解.
产品 identification 模式
这 产品 identification 模式 identifies 这 设备 作
sst37vf512, sst37vf010, sst37vf020, 和
sst37vf040 和 生产者 作 sst. 这个 模式 将
是 accessed 用 这 硬件 方法. 至 活动 这个
模式, 这 程序编制 设备 必须 强迫 v
H
(12v±5%) 在 地址 一个
9
. 二 identifier 字节 将 然后 是
sequenced 从 这 设备 输出 用 toggling 地址
线条 一个
0
. 为 详细信息, 看 表格 3 为 硬件 运作.
设计 仔细考虑
这 sst37vf512/010/020/040 应当 有 一个 0.1µf
陶瓷的 高 频率, 低 电感 电容 con-
nected 在 v
DD
和 地. 这个 电容 应当 是
放置 作 关闭 至 这 包装 terminals 作 可能.
oe# 和 一个
9
必须 仍然是 稳固的 在 v
H
为 这 全部 dura-
tion 的 一个 擦掉 运作. oe# 必须 仍然是 稳固的 在 v
H
为 这 全部 持续时间 的 这 程序 运作.
表格 1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址 数据
生产者
’
s id 0000H BFH
设备 id
SST37VF512 0001H C4H
SST37VF010 0001H C5H
SST37VF020 0001H C6H
SST37VF040 0001H C2H
t1.2 397
y-解码器
i/o 缓存区
397 ill b1.1
地址 缓存区
x-解码器
DQ
7
- dq
0
记忆 地址
一个
9
OE#
CE#
WE#
SuperFlash
记忆
控制 逻辑
F
UNCTIONAL
B
锁
D
IAGRAM
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